繼卡位176層3D NAND科技制高點後，美光再次宣佈DRAM科技突破

美光宣佈批量出貨1αnm（1-alpha）節點DRAM產品，新一代先進科技與之前的1Znm節點相比，存儲密提高了40%，功耗和效能方面也都有明顯的改善。

美光表示，已經在臺灣地區的工廠批量生產1αnm工藝節點的DRAM，為8Gb和16Gb容量，首先是面向PC客戶推出DDR4和消費類Crucial PC DRAM產品，同時面向移動市場推出的LPDDR4樣品也已進入認證階段，預計將在2021年也會推出基於該科技的其他新產品，比如LPDDR5。