美光DRAM制程不斷突破極限

在第四代10納米DRAM工藝制程的研發中，美光也率先實現了突破並開始量產1α DRAM產品。創新1α節點，作為美光的“秘密武器”，帶來業界功耗最低的移動DRAM，突破制程極限同時實現成本優化，與上一代1z美光移動DRAM相比，它實現15%的節能，通過平衡成本和制程能力，極大地提升用戶體驗。

未來，美光希望在後續節點（如beta和gamma）中繼續這一創新，同樣把重點放在制程改進上，並借鑒之前節點的寶貴經驗。美光DRAM制程團隊也會參攷借鑒NAND團隊的制程經驗——他們已推出了世界上第一款176層3D NAND，取得了業界領先的成就。

未來，美光希望在後續節點（如beta和gamma）中繼續這一創新，同樣把重點放在制程改進上，並借鑒之前節點的寶貴經驗。美光DRAM制程團隊也會參攷借鑒NAND團隊的制程經驗——他們已推出了世界上第一款176層3D NAND，取得了業界領先的成就。美光研究表明，現時DRAM仍然最適合低延遲易失性應用。MRAM，例如STTRAM，具有易於與邏輯電晶體制程集成的優點，然而STTRAM的數據延遲和能耗稍高於DRAM，耐久性也差一些，並且在密度方面還存在設計實現難點。囙此，業界是否會採用Logic+STTRAM還有待觀察。RRAM確實是一種有趣的低延遲塊存儲技術，但現時還難以確定其面密度的經濟性是否能帶來廣泛的市場部署。所以美光認為DRAM在未來十年仍會佔據存儲效能-容量金字塔的頂端。