三星将于6月30日开始量产3纳米芯片

6月28日消息，《韩国日报》报道三星将于6月30日开始量产3纳米芯片。

BusinessKorea报道，三星6月初已导入3纳米GAAFET制程，进行试验性量产，成为第一家运用GAAFET技术的公司。今年6月22日，市场传来三星因良率远低于目标延迟3纳米芯片量产的消息，对此三星回应表示仍按进度开始量产3纳米芯片。

三星希望借助GAA技术，在先进制程领域赶超晶圆代工龙头企业台积电。与当前的FinFET（鳍式场效应晶体管）工艺相比，GAA工艺可让芯片面积减少45%的同时提升30%的性能，功耗降低50%。