美光日本厂跳电

美光（Micron）位于Hiroshima的日本厂于7月8日发生跳电意外。据TrendForce集邦咨询调查，以第三季产能来看，该厂月产能占美光月产能约30%；若以全球产能来看，投片占比则约7%。主要投产制程为1Z nm，其投片比重为50%以上，其次为1Y nm，占比亦有接近35%。由于跳电发生时机台亦同时启动不断电系统，但因压降的影响，机台需要重启与检查，而跳电时间约5~10分钟，故受影响的产能有限。

观察该厂产品类别，现阶段以产出智能手机相关的mobile DRAM为主。TrendForce集邦咨询同时表示，自年初起地缘冲突、高通胀导致全球消费性电子需求疲弱，使得各原厂的存储器库存皆位于较高水位，且跳电对美光产能影响较低，美光亦能使用其库存来满足客户端的需求，故对整体DRAM供需市场并无造成冲击。