美光推出全球首款 232 层 NAND

近日，美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 与高管团队宣布美光下一代 232 层 NAND 闪存将于 2022 年底前实现量产。这标志着业界首款 232 层 3D NAND 正式问世。目前该技术已经应用在英睿达（Crucial）旗下几款固态硬盘上。其他搭载这项技术的产品将于今年晚些时候上市，届时将为消费者带来更大容量、更高密度、更少能耗与更低单位存储成本的存储解决方案。

突破性的超高堆叠层数和 CuA 技术使每颗芯片仅需极小的尺寸就可存储高达 1Tb 的容量，这意味着 232 层 NAND的比特密度比上一代 176 层 NAND 高出 45% 以上。密度的增加也进一步改善了封装规格，全新的 11.5mm x 13.5mm 封装尺寸较前几代小 28%。 232 层 NAND 也是目前速度最快的 NAND 产品。开放式 NAND 闪存接口（ONFI）使传输速率大大提高，达到 2400 MT/s ，再次领先业界，比上一代技术提高 50% 以上。此外双向带宽也有提高，相比 176 层产品， 232 层 NAND 的写入带宽提升可达 100% ，读取带宽提升超过 75%。