三星公布内存、闪存路线图
三星在Samsung Foundry Forum 2022活动中介绍了其内存及闪存路线图。在即将到来的2023年,三星内存将进入1bnm工艺阶段,内存芯片容量将达到 24Gb(3GB)- 32Gb(4GB),原生速度将在6.4-7.2Gbps。显存方面,新一代GDDR7显存将在明年问世,因此AMD和英伟达显卡的新一代显卡的中期改款就有可能会用上GDDR7显存。此外,三星还进行了一些长远的设想,如2026年推出DDR6内存,2027年即实现原生10Gbps的速度。
NAND方面,目前,三星正在量产第7代Vertical NAND(V-NAND)闪存,其第九代V-NAND正在开发中,并计划从2024年开始量产第9代NAND闪存。