三星公布内存、闪存路线图

三星在Samsung Foundry Forum 2022活动中介绍了其内存及闪存路线图。在即将到来的2023年，三星内存将进入1bnm工艺阶段，内存芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbps。显存方面，新一代GDDR7显存将在明年问世，因此AMD和英伟达显卡的新一代显卡的中期改款就有可能会用上GDDR7显存。此外，三星还进行了一些长远的设想，如2026年推出DDR6内存，2027年即实现原生10Gbps的速度。

NAND方面，目前，三星正在量产第7代Vertical NAND（V-NAND）闪存，其第九代V-NAND正在开发中，并计划从2024年开始量产第9代NAND闪存。